ID 5312
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Title Transcription
ジセダイ コウセイノウ フキハツセイ メモリ ReRAM ノ ケンキュウ カイハツ
Title Alternative
Template of Reports of the Faculty of Engineering Tottori University
Authors
Keywords
Resistive random access memory
Metal oxides
High performance
Mechanism elucidation
Transparent
Flexible
Abstract
筆者は, 半導体メモリ素子の微細化・高性能化の限界の壁を打ち破り, 半導体業界に漂う停滞感を払拭したいという強い思いを持って, 次世代メモリの研究開発に様々な角度から取り組んできた. 次世代メモリとして期待される抵抗変化型メモリReRAMの高性能化及び抵抗変化機構の解明から, 新規高速抵抗スイッチング現象の発見, 固液融合型高性能メモリの提案といった, 次々世代を担うメモリ素子の提案まで,幅広く, しかし, 一貫してメモリ素子にこだわって研究を継続して来た. 本総説は, 筆者が鳥取大学工学研究科にて行ってきたこれらの研究成果について簡単に整理したものである.
Publisher
鳥取大学大学院工学研究科
Content Type
Departmental Bulletin Paper
ISSN・ISBN
0385-8596
Journal Title
鳥取大学大学院工学研究科/工学部研究報告
Current Journal Title
鳥取大学大学院工学研究科/工学部研究報告
Volume
47
Start Page
33
End Page
38
Published Date
2016-12-26
Text Version
Publisher
Citation
鳥取大学大学院工学研究科/工学部研究報告. 2016, 47, 33-38
Department
Faculty of Engineering/Graduate School of Engineering
Language
Japanese