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| タイトルヨミ | ジョウチャク ニヨル ZnS : キドルイ エレクトロルミネッセンス ハクマク ノ サクセイ
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| タイトル別表記 | Fabrication of Electroluminesecent Thin Films Doped with Rare-Earth Ions by Evaporation Method
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| 著者 |
大森 秀樹
電子工学科 Department of Electronics
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| 抄録 | The fabrication conditions of the electroluminescent ZnS:TbF₃, ZnS:ErF₃, and ZnS;NdF₃ thin films have been investigated. The effects of pre-heating upon the electroluminescent properties, and the relationship between crucible temperature and deposition rate, have been studied. The optimum fabrication conditions of the strong electroluminescent films have been found to be as fol1ows; crucible temperature for ZnS of 760～780℃, crucible temperature for rare-earth fluorides of 780～820℃, and the deposition rate of 300Å/min. These conditions were independent of the rare-earth ions doped. The EL emission spectra of the films have been related to known energy level schemes of doped rare-earth ions. The external power efficiency of 5×10⁶ have been obtained.
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| 出版者 | 鳥取大学工学部
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| 資料タイプ |
紀要論文
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| ISSN | 0385-8596
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| 書誌ID | AN00174610
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| 掲載誌名 | 鳥取大学工学部研究報告
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| 最新掲載誌名 |
鳥取大学大学院工学研究科／工学部研究報告
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| 巻 | 4
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| 号 | 2
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| 開始ページ | 152
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| 終了ページ | 157
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| 発行日 | 1974-03
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| 著者版フラグ |
出版社版
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| 著作権表記 | 注があるものを除き、この著作物は日本国著作権法により保護されています。 / This work is protected under Japanese Copyright Law unless otherwise noted.
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| 掲載情報 | 鳥取大学工学部研究報告. 1974, 4(2), 152-157
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| 部局名 |
工学部・工学研究科
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| 言語 |
日本語
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