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著者
Kobayashi Hiroshi Department of Electronics KAKEN
抄録
The kinetic power theorem for transverse field type electron beam in semiconductors is reviewed on the basis of the first order linearized set of Maxwell's equations and the equations of motion whch include the effects of collisions and diffusion. Kinetic power flow is given in terms of the equivalent kinetic voltages due to longitudinal and transverse velocity modulation, and equivalent current densities. Dispersion relation is also found for this type of electron beam in a thin semi
conductor slab.
出版者
鳥取大学工学部
資料タイプ
紀要論文
ISSN
0385-8596
書誌ID
AN00174610
掲載誌名
鳥取大学工学部研究報告
最新掲載誌名
鳥取大学工学部研究報告
2
2
開始ページ
118
終了ページ
124
発行日
1972-03-10
著者版フラグ
出版社版
掲載情報
鳥取大学工学部研究報告. 1972, 2(2), 118-124
部局名
工学部・工学研究科
言語
英語