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タイトルヨミ
ヨウキョク サンカ Ta₂O₅ ハクマク ノ デンキテキ トクセイ
タイトル別表記
The Electrical Characteristics of Anodic Oxidized Ta₂O₅ Films
著者
小林 洋志 電子工学科 Department of Electronics KAKEN
岸田 庸子 電子工学科 Department of Electronics
田中 省作 電子工学科 Department of Electronics KAKEN
笹倉 博 電子工学科 Department of Electronics KAKEN
抄録
The dielectric constant, the dielectric loss, the breakdown voltage and the current at high electric fields of Ta₂O₅ 1ayers have been measured using Ta-Ta₂O₅-Au devices with various thicknesses. The Ta₂O₅ layer is prepared by anodizing sputtered Ta films. The rate of anodic oxidation is about 16-18Å/V. The Ta-Ta₂O₅-Au devices with the Ta₂O₅ layers more than 1500Å thick are electrically stable and show the dielectric constants of 20-25, which are slightly
smaIIer than those of bulk (25-27). The current at high electric fields depends
strongly upon temperature and therefore is considered to be the Schottky current. The breakdown electric field is about 5x10⁶V/cm. A few of the Ta-Ta₂O₅-Au devices studied show the remarkable rectifying characteristics, which may be due to the n― i―p junction of the Ta₂O₅ 1ayer.
出版者
鳥取大学工学部
資料タイプ
紀要論文
ISSN
0385-8596
書誌ID
AN00174610
掲載誌名
鳥取大学工学部研究報告
最新掲載誌名
鳥取大学工学部研究報告
4
1
開始ページ
119
終了ページ
123
発行日
1973-09-29
著者版フラグ
出版社版
掲載情報
鳥取大学工学部研究報告. 1973, 4(1), 119-123
部局名
工学部・工学研究科
言語
日本語