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タイトルヨミ
RF スパッタリング ホウ ニヨル タンタル ハクマク ノ セイセイ
タイトル別表記
Preparation of Ta Thin Films by RF Sputtering Method
著者
小林 洋志 電子工学科 Department of Electronics KAKEN
岸田 庸子 電子工学科 Department of Electronics
熊谷 直樹 現在神戸大学工学部電気工学科Present adddress, Department of Electrical Engineering, Fuculty of Engineering, Kobe University.
笹倉 博 電子工学科 Department of Electronics KAKEN
抄録
Ta thin films are prepared by sputtering under various conditions. Ar gas pressure during sputtering is in the range of l×10⁻³~1×10⁻² torr. Either α―Ta(b. C. C.) similar tO a bulk or β―Ta (tetragonal) obtained only on a film is deposited. It appears that α―Ta is formed in a contaminative atomosPhere, while β―Ta is formed in a clean atomosphere. The α or β Ta phase Of the sputtered films is determined by X―ray diffraction pattern or by measuring the specific resistivity. The α―Ta films show the main peak of the (110) plane parallel to the glass substrate and the β―Ta films show the main peak of the(200) plane parallel to the glass substrate. The X―ray oscillation Photographs also show that both the α―Ta and the β―Ta have fibre structures. Specific resistivities of the
α―Ta and the β―Ta are 50~100 μΩ―cm and 180 ~230 μΩ-cm, respectively.
出版者
鳥取大学工学部
資料タイプ
紀要論文
ISSN
0385-8596
書誌ID
AN00174610
掲載誌名
鳥取大学工学部研究報告
最新掲載誌名
鳥取大学工学部研究報告
3
2
開始ページ
90
終了ページ
98
発行日
1973-03-20
著者版フラグ
出版社版
掲載情報
鳥取大学工学部研究報告. 1973, 3(2), 90-98
部局名
工学部・工学研究科
言語
日本語