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タイトルヨミ
ジョウチャク ニヨル ZnS : キドルイ エレクトロルミネッセンス ハクマク ノ サクセイ
タイトル別表記
Fabrication of Electroluminesecent Thin Films Doped with Rare-Earth Ions by Evaporation Method
著者
小林 洋志 電子工学科 Department of Electronics KAKEN
大森 秀樹 電子工学科 Department of Electronics
田中 省作 電子工学科 Department of Electronics KAKEN
笹倉 博 電子工学科 Department of Electronics KAKEN
抄録
The fabrication conditions of the electroluminescent ZnS:TbF₃, ZnS:ErF₃, and
ZnS;NdF₃ thin films have been investigated. The effects of pre-heating upon the
electroluminescent properties, and the relationship between crucible temperature
and deposition rate, have been studied. The optimum fabrication conditions of the strong electroluminescent films have been found to be as fol1ows; crucible temperature for ZnS of 760~780℃, crucible temperature for rare-earth fluorides of 780~820℃, and the deposition rate of 300Å/min. These conditions were independent of the rare-earth ions doped. The EL emission spectra of the films have been related to known energy level schemes of doped rare-earth ions. The external power efficiency of 5×10⁶ have been obtained.
1
出版者
鳥取大学工学部
資料タイプ
紀要論文
ISSN
0385-8596
書誌ID
AN00174610
掲載誌名
鳥取大学工学部研究報告
最新掲載誌名
鳥取大学工学部研究報告
4
2
開始ページ
152
終了ページ
157
発行日
1974-03
著者版フラグ
出版社版
掲載情報
鳥取大学工学部研究報告. 1974, 4(2), 152-157
部局名
工学部・工学研究科
言語
日本語