@article{oai:repository.lib.tottori-u.ac.jp:00003134,
 author = {木下, 健太郎 and Kinoshita, Kentaro},
 journal = {鳥取大学大学院工学研究科／工学部研究報告, Reports of the Graduate School/Faculty of Engineering, Tottori University},
 month = {Dec},
 note = {筆者は, 半導体メモリ素子の微細化・高性能化の限界の壁を打ち破り, 半導体業界に漂う停滞感を払拭したいという強い思いを持って, 次世代メモリの研究開発に様々な角度から取り組んできた. 次世代メモリとして期待される抵抗変化型メモリReRAMの高性能化及び抵抗変化機構の解明から, 新規高速抵抗スイッチング現象の発見, 固液融合型高性能メモリの提案といった, 次々世代を担うメモリ素子の提案まで,幅広く, しかし, 一貫してメモリ素子にこだわって研究を継続して来た. 本総説は, 筆者が鳥取大学工学研究科にて行ってきたこれらの研究成果について簡単に整理したものである.},
 pages = {33--38},
 title = {次世代高性能不揮発性メモリReRAM の研究開発},
 volume = {47},
 year = {2016},
 yomi = {キノシタ, ケンタロウ}
}