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アイテム
陽極酸化Ta₂O₅薄膜の電気的特性
https://repository.lib.tottori-u.ac.jp/records/3450
https://repository.lib.tottori-u.ac.jp/records/3450504f8995-5e42-4314-bcde-971ddec48f5a
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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rfteu4(1)_119.pdf (329.6 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||||||||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2018-06-22 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | 陽極酸化Ta₂O₅薄膜の電気的特性 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | The Electrical Characteristics of Anodic Oxidized Ta₂O₅ Films | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル（ヨミ） | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| その他のタイトル | ヨウキョク サンカ Ta₂O₅ ハクマク ノ デンキテキ トクセイ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 著者 |
小林, 洋志
× 小林, 洋志
× 岸田, 庸子
× 田中, 省作
× 笹倉, 博
× Kishida, Yoko
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| 著者所属 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 値 | 電子工学科 Department of Electronics | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 著者所属 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 値 | 電子工学科 Department of Electronics | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 著者所属 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 値 | 電子工学科 Department of Electronics | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 著者所属 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 値 | 電子工学科 Department of Electronics | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 抄録 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | The dielectric constant, the dielectric loss, the breakdown voltage and the current at high electric fields of Ta₂O₅ 1ayers have been measured using Ta-Ta₂O₅-Au devices with various thicknesses. The Ta₂O₅ layer is prepared by anodizing sputtered Ta films. The rate of anodic oxidation is about 16-18Å/V. The Ta-Ta₂O₅-Au devices with the Ta₂O₅ layers more than 1500Å thick are electrically stable and show the dielectric constants of 20-25, which are slightly smaIIer than those of bulk (25-27). The current at high electric fields depends strongly upon temperature and therefore is considered to be the Schottky current. The breakdown electric field is about 5x10⁶V/cm. A few of the Ta-Ta₂O₅-Au devices studied show the remarkable rectifying characteristics, which may be due to the n― i―p junction of the Ta₂O₅ 1ayer. | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 書誌情報 |
ja : 鳥取大学工学部研究報告 en : Reports of the Faculty of Engineering, Tottori University 巻 4, 号 1, p. 119-123, 発行日 1973-09-29 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | 鳥取大学工学部 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 03858596 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 書誌レコードID | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AN00174610 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 権利 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 権利情報 | 注があるものを除き、この著作物は日本国著作権法により保護されています。 / This work is protected under Japanese Copyright Law unless otherwise noted. | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 情報源 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 関連名称 | 鳥取大学工学部研究報告. 1973, 4(1), 119-123 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||||||||||||||
