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アイテム
次世代高性能不揮発性メモリReRAM の研究開発
https://repository.lib.tottori-u.ac.jp/records/3134
https://repository.lib.tottori-u.ac.jp/records/3134fb8848ff-e87e-43d1-a8c8-f32b2886db2c
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
rgsfe47_33.pdf (2.2 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2018-06-22 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 次世代高性能不揮発性メモリReRAM の研究開発 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Template of Reports of the Faculty of Engineering Tottori University | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Resistive random access memory | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Metal oxides | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | High performance | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Mechanism elucidation | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Transparent | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Flexible | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Resistive random access memory | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Metal oxides | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | High performance | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Mechanism elucidation | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Transparent | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Flexible | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| タイトル（ヨミ） | ||||||
| その他のタイトル | ジセダイ コウセイノウ フキハツセイ メモリ ReRAM ノ ケンキュウ カイハツ | |||||
| 言語 | ja-Kana | |||||
| 著者 |
木下, 健太郎
× 木下, 健太郎 |
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| 著者所属 | ||||||
| 値 | 鳥取大学工学部電気電子工学科 | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 筆者は, 半導体メモリ素子の微細化・高性能化の限界の壁を打ち破り, 半導体業界に漂う停滞感を払拭したいという強い思いを持って, 次世代メモリの研究開発に様々な角度から取り組んできた. 次世代メモリとして期待される抵抗変化型メモリReRAMの高性能化及び抵抗変化機構の解明から, 新規高速抵抗スイッチング現象の発見, 固液融合型高性能メモリの提案といった, 次々世代を担うメモリ素子の提案まで,幅広く, しかし, 一貫してメモリ素子にこだわって研究を継続して来た. 本総説は, 筆者が鳥取大学工学研究科にて行ってきたこれらの研究成果について簡単に整理したものである. | |||||
| 書誌情報 |
ja : 鳥取大学大学院工学研究科／工学部研究報告 en : Reports of the Graduate School/Faculty of Engineering, Tottori University 巻 47, p. 33-38, 発行日 2016-12-26 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 鳥取大学大学院工学研究科 | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 03858596 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN00174610 | |||||
| 権利 | ||||||
| 権利情報 | 注があるものを除き、この著作物は日本国著作権法により保護されています。 / This work is protected under Japanese Copyright Law unless otherwise noted. | |||||
| 情報源 | ||||||
| 関連名称 | 鳥取大学大学院工学研究科／工学部研究報告. 2016, 47, 33-38 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
