WEKO3
アイテム
RFスパッタリング法によるタンタル薄膜の生成
https://repository.lib.tottori-u.ac.jp/records/3456
https://repository.lib.tottori-u.ac.jp/records/345687bee398-ce69-4d09-858c-bfe6536b6c88
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
rfteu3(2)_90.pdf (650.2 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2018-06-22 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | RFスパッタリング法によるタンタル薄膜の生成 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Preparation of Ta Thin Films by RF Sputtering Method | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| タイトル（ヨミ） | ||||||
| その他のタイトル | RF スパッタリング ホウ ニヨル タンタル ハクマク ノ セイセイ | |||||
| 言語 | ja-Kana | |||||
| 著者 |
小林, 洋志
× 小林, 洋志× 岸田, 庸子× 熊谷, 直樹× 笹倉, 博× Kishida, Yoko× Kumagaya, Naoki |
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| 著者所属 | ||||||
| 値 | 電子工学科 Department of Electronics | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 電子工学科 Department of Electronics | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 現在神戸大学工学部電気工学科Present adddress, Department of Electrical Engineering, Fuculty of Engineering, Kobe University. | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 電子工学科 Department of Electronics | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | Ta thin films are prepared by sputtering under various conditions. Ar gas pressure during sputtering is in the range of l×10⁻³～1×10⁻² torr. Either α―Ta(b. C. C.) similar tO a bulk or β―Ta (tetragonal) obtained only on a film is deposited. It appears that α―Ta is formed in a contaminative atomosPhere, while β―Ta is formed in a clean atomosphere. The α or β Ta phase Of the sputtered films is determined by X―ray diffraction pattern or by measuring the specific resistivity. The α―Ta films show the main peak of the (110) plane parallel to the glass substrate and the β―Ta films show the main peak of the(200) plane parallel to the glass substrate. The X―ray oscillation Photographs also show that both the α―Ta and the β―Ta have fibre structures. Specific resistivities of the α―Ta and the β―Ta are 50～100 μΩ―cm and 180 ～230 μΩ-cm, respectively. | |||||
| 書誌情報 |
ja : 鳥取大学工学部研究報告 en : Reports of the Faculty of Engineering, Tottori University 巻 3, 号 2, p. 90-98, 発行日 1973-03-20 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 鳥取大学工学部 | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 03858596 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN00174610 | |||||
| 権利 | ||||||
| 権利情報 | 注があるものを除き、この著作物は日本国著作権法により保護されています。 / This work is protected under Japanese Copyright Law unless otherwise noted. | |||||
| 情報源 | ||||||
| 関連名称 | 鳥取大学工学部研究報告. 1973, 3(2), 90-98 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
