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アイテム
ZnSTe coherently grown onto GaP substrates by molecular beam epitaxy using ZnS buffer layers
https://repository.lib.tottori-u.ac.jp/records/7322
https://repository.lib.tottori-u.ac.jp/records/732298d41d79-8c61-434d-b85e-7d5890cedce3
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
pss253(8)_1476.pdf (8.1 MB)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2022-08-19 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | ZnSTe coherently grown onto GaP substrates by molecular beam epitaxy using ZnS buffer layers | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題 | buffer layers | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題 | GaP | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題 | reciprocal space mapping | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題 | transmission electron microscopy | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題 | X-ray diffraction | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題 | ZnS | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題 | ZnSTe | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題 | buffer layers | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題 | GaP | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題 | reciprocal space mapping | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題 | transmission electron microscopy | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題 | X-ray diffraction | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題 | ZnS | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題 | ZnSTe | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| 著者 |
市野, 邦男
× 市野, 邦男× 阿部, 友紀× Kashiyama, Shota× Nanba, Nao× Hasegawa, Hiroyasu |
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| 著者所属（英） | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 値 | Department of Information and Electronics, Tottori University | |||||
| 著者所属（英） | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 値 | Department of Information and Electronics, Tottori University | |||||
| 著者所属（英） | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 値 | Department of Information and Electronics, Tottori University | |||||
| 著者所属（英） | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 値 | Department of Information and Electronics, Tottori University | |||||
| 著者所属（英） | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 値 | Department of Information and Electronics, Tottori University | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | ZnS1-xTex epitaxial layers with x ~ 0.06, nearly lattice-matched to GaP substrates, have been grown by molecular beam epitaxy. Direct growth of the layers onto the substrates results in poor crystal quality, showing no sign of coherent growth. This seems to be due to alloy composition deviation at the initial stage of the growth. To avoid the problem, a thin coherent ZnS buffer layer has been inserted at the ZnSTe/GaP interface. With the buffer layers, coherent growth of ZnSTe layers is achieved and the crystal quality has been improved. | |||||
| 書誌情報 |
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS en : PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 巻 253, 号 8, p. 1476-1479, 発行日 2016-08 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Wiley | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 03701972 | |||||
| DOI | ||||||
| 関連タイプ | isVersionOf | |||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||
| 関連識別子 | 10.1002/pssb.201600009 | |||||
| 権利 | ||||||
| 権利情報 | This is the peer reviewed version of the following article: Ichino, K., Kashiyama, S., Nanba, N., Hasegawa, H. and Abe, T. (2016), ZnSTe coherently grown onto GaP substrates by molecular beam epitaxy using ZnS buffer layers. Phys. Status Solidi B, 253: 14 | |||||
| 情報源 | ||||||
| 関連名称 | Ichino Kunio, Kashiyama Shota, Nanba Nao, et al. ZnSTe coherently grown onto GaP substrates by molecular beam epitaxy using ZnS buffer layers. PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS. 2016. 253(8). 1476-1479. doi:10.1002/pssb.201600009 | |||||
| 関連サイト | ||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.1002/pssb.201600009 | |||||
| 関連名称 | https://doi.org/10.1002/pssb.201600009 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | AM | |||||
| EISSN | ||||||
| 値 | 15213951 | |||||
