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Molecular Beam Epitaxy and p-type Doping of ZnMgSTe Quaternary Alloys
https://repository.lib.tottori-u.ac.jp/records/7259
https://repository.lib.tottori-u.ac.jp/records/7259ac420a61-5f0f-41e3-afa1-8748252d0cf9
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
jem47(8)_4321.pdf (207.2 kB)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2022-08-19 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Molecular Beam Epitaxy and p-type Doping of ZnMgSTe Quaternary Alloys | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題 | ZnMgSTe | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題 | ZnS | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題 | p-type | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題 | wide bandgap | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題 | molecular beam epitaxy | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題 | ZnMgSTe | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題 | ZnS | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題 | p-type | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題 | wide bandgap | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題 | molecular beam epitaxy | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| 著者 |
市野, 邦男
× 市野, 邦男× 赤岩, 和明× 阿部, 友紀× Sahashi, K.× Nanba, N.× Nakashima, T.× Tomita, Y. |
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| 著者所属（英） | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 値 | Department of Information and Electronics, Tottori University | |||||
| 著者所属（英） | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 値 | Department of Information and Electronics, Tottori University | |||||
| 著者所属（英） | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 値 | Department of Information and Electronics, Tottori University | |||||
| 著者所属（英） | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 値 | Department of Information and Electronics, Tottori University | |||||
| 著者所属（英） | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 値 | Department of Information and Electronics, Tottori University | |||||
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| 言語 | en | |||||
| 値 | Department of Information and Electronics, Tottori University | |||||
| 著者所属（英） | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 値 | Department of Information and Electronics, Tottori University | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | ZnS-based ZnMgSTe quaternary alloy layers have been grown by molecular beam epitaxy. The bandgap of ZnMgSTe has been estimated from the reflectance spectra, and it was found that it increases with increasing Mg content, while it decreases with increasing Te content. Nitrogen acceptor doping to Zn1−xMgxS1−yTey layers has also been investigated. The layers with Te content y>0.1 were found to be p-type, and the layer with the larger Te content exhibited lower resistivity. From these results, it seems that the ZnMgSTe quaternary alloy with appropriate composition possesses both a wide bandgap and p-type conductivity. | |||||
| 書誌情報 |
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS en : JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 巻 47, 号 8, p. 4321-4324, 発行日 2018-08 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Springer | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 03615235 | |||||
| DOI | ||||||
| 関連タイプ | isVersionOf | |||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||
| 関連識別子 | 10.1007/s11664-018-6240-7 | |||||
| 権利 | ||||||
| 権利情報 | This version of the article has been accepted for publication, after peer review (when applicable) and is subject to Springer Nature’s AM terms of use, but is not the Version of Record and does not reflect post-acceptance improvements, or any corrections. | |||||
| 情報源 | ||||||
| 関連名称 | Ichino K., Sahashi K., Nanba N., et al. Molecular Beam Epitaxy and p-type Doping of ZnMgSTe Quaternary Alloys. JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS. 2018. 47(8). 4321-4324. doi:10.1007/s11664-018-6240-7 | |||||
| 関連サイト | ||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.1007/s11664-018-6240-7 | |||||
| 関連名称 | https://doi.org/10.1007/s11664-018-6240-7 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | AM | |||||
| EISSN | ||||||
| 値 | 1543186X | |||||
